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Descrição
PRINCIPAIS RECURSOS
HBT InGaP Avançado
Alimentação de 3,3 V de Polaridade Única
EVM ~ 3% em Pout = 18 dBm para 64 QAM/ OFDM de 54 Mbps
P1 dB ~ +26 dBm
Ganho de Potência ~ 23 dB a 5,25 GHz para Icq ~ 100 mA
Ganho de Potência ~ 21 dB a 5,85 GHz para Icq ~ 100 mA
Corrente Total ~ 190 mA em Pout = 18 dBm a 5,25 GHz
ACPR ~ -50 dBc a 30 MHz Offset em Pout = 18 dBm
Compatibilidade Completa de Entrada On-Chip
Compatibilidade Simples de Capacitores de Saída
Tamanho Compacto: 3 x 3 mm
Perfil baixo: 0,9 mm
