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Descrição
Características
Atraso de propagação de 510 ps
Frequência de comutação de 3,0 GHz
Proteção ESD:
> 1 kV (Modelo Corpo Humano)
> 100 V (Modelo Máquina)
Faixa de operação no modo PECL:
VCC = 4,2 V a 5,7 V com VEE = 0 V
Faixa de operação no modo NECL:
VCC = 0 V com VEE = 4,2 V a 5,7 V
Resistores de pull-down de entrada internos em CLK(s) e R.
Atende ou excede a especificação JEDEC EIA/JESD78 para teste de latchup de CI
Sensibilidade à umidade:
Nível 1 para SOIC-8 NB
Para obter informações adicionais, consulte a Nota de Aplicação AND8003/D
Classificação de inflamabilidade: UL 94 V0 a 0,125 pol.,
Índice de Oxigênio: 28 a 34
Número de transistores = 82 dispositivos
Esses dispositivos são livres de chumbo, livres de halogênio e estão em conformidade com a RoHS
