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Descrição
Características
Alta Velocidade: tPD = 7 ns (Típico) a VCC = 5 V
Baixa Dissipação de Energia: ICC = 1 A (Máx.) a TA = 25C
Alta Imunidade a Ruído
Atrasos de Propagação Balanceados (tpLH = tpHL)
Impedância de Saída Simétrica (IOH = IOL = 2 mA)
Complexidade do Chip: < 100 FETs
Sufixo Q para Aplicações Automotivas e Outras que Requerem Requisitos Exclusivos de Mudança de Local e Controle; Qualificação AECQ100 e
Compatibilidade com PPAP
Estes Dispositivos São Isentos de Pb, Halogênio/BFR e em Conformidade com RoHS
