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Descrição
Características
Alta Velocidade: tPD = 3,5 ns (Típico) a VCC = 5,0 V
Baixa Dissipação de Energia: ICC = 1,0 mA (Máx.) a TA = 25C
Proteção contra Queda de Potência nas Entradas
Atrasos de Propagação Balanceados
Pinos e Funções Compatíveis com Outras Famílias Lógicas Padrão
Complexidade do Chip: FETs = 62
Estes Dispositivos São Isentos de Pb e Em Conformidade com RoHS
Prefixo NLV para Aplicações Automotivas e Outras que Exigem Requisitos Exclusivos de Local e Mudança de Controle; Qualificação AEC-Q100 e Compatível com PPAP
