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Descrição
CARACTERÍSTICAS
Livre de halogênio, conforme IEC 61249-2-21
Definição
MOSFET de potência TrenchFET: 1,8 V nominal
Ocupa muito pouco espaço
Comutação no lado alto
Baixa resistência de ativação: 0,7
Limiar baixo: 0,8 V (típico)
Velocidade de comutação rápida: 10 ns
Operação em 1,8 V
Protegido contra ESD de porta-fonte: 2000 V
Em conformidade com a Diretiva RoHS 2002/95/EC
