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Descrição
CARACTERÍSTICAS
Baixa resistência de ativação: 2
Baixo limiar: 2 V (típico)
Baixa capacitância de entrada: 25 pF
Rápida velocidade de comutação: 25 ns
Baixo vazamento de entrada e saída
MOSFET de potência TrenchFET
Proteção ESD de 2000 V
Categorização do material: para definições de conformidade, consulte www.vishay.com/doc?99912