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Descrição
CARACTERÍSTICAS
Livre de halogênio, conforme IEC 61249-2-21
Definição
MOSFET de potência TrenchFET
Comutação no lado alto
Baixa resistência de ativação: 6
Baixo limiar: - 2 V (típico)
Velocidade de comutação rápida: 20 ns (típico)
Baixa capacitância de entrada: 20 pF (típico)
Proteção ESD de 2000 V
Em conformidade com a Diretiva RoHS 2002/95/EC
