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Descrição
Características

Tecnologia de silício
Não pode ser danificado por tensão
Baixa capacitância
Elimina sobretensão
Encapsulamento em resina epóxi
Não sofre fadiga
Em conformidade com as seguintes normas:
- GR1089
- ITU K.20, K.21 e K.45
- IEC 60950
- UL 60950
- TIA-968
Em conformidade com a RoHS
Especificações

EAN: 0000000023745

Fabricante: BORN SEMICONDUCTOR